aula 8- Transistor FET

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Transistores de Efeito de Campo (FET) Construção, simbologia e Principio de Funcionamento • FET de Junção

o Principio de funcionamento

o Característica de Transferência 2

 V  I D = I DSS 1 − gs   V  p   ID= Corrente de dreno Vgs= tensão porta‐fonte (controle) IDSS= Corrente máxima de dreno (Vgs=0) Vp= tensão de estrangulamento (ID=0)

• MOSFET o MOSFET Depleção

ƒ Principio de funcionamento • Similar ao FET de junção, excerto que o MOSFET depleção suporta tensão Vgs de polaridade direta

ƒ Característica de Transferência • Similar ao FET de junção 2

 Vgs   I D = I DSS 1 −  V  p   ID= Corrente de dreno Vgs= tensão porta‐fonte (controle) IDSS= Corrente máxima de dreno (Vgs=0) Vp= tensão de estrangulamento (ID=0)

o MOSFET Indução

ƒ Principio de funcionamento • O canal é induzido no substrato com a aplicação de um potencial adequado a porta

ƒ Característica de Transferência I D = k (Vgs − VT )

2

ID= Corrente de dreno Vgs= tensão porta‐fonte (controle) k= Constante que depende do dispositivo VT= tensão de limiar (mínimo para induzir o canal)

Circuitos de Polarização

• JFET e MOSFET Depleção o Polarização Fixa

ƒ RG muito grande ƒ A tensão Vgs não pode se medida por multímetros devido ao alto valor da impedância de entrada do FET ƒ Exercícios • Para o circuito de polarização, determinar Vgs,Id e Vds • Utilizando o mesmo FET, projetar um circuito de polarização considerando Vdd=20V, ID=5mA e Vds=10V

o Autopolarização

Vgs = − I D Rs

o Divisão de tensão

RG 2 RG1 + RG 2 Vs = I D Rs

Vg (th ) = VDD

Vgs = Vg − Vs

• MOSFET Indução